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台积电又推先进制程增强版本N7P和N5P

晶圆代工龙头台积电先进制程近期又推新产品——7纳米深紫外DUV(N7)和5纳米极紫外EUV(N5)制程的性能增强版本。除了N7P的新制程技术,台积电下一个显著提升电晶体密度、改进功耗和性能的主要制程节点,就是5纳米N5制程技术。
发布时间:2019-08-07 13:39        来源:中国电子报        作者:中国电子报

晶圆代工龙头台积电先进制程近期又推新产品——7纳米深紫外DUV(N7)和5纳米极紫外EUV(N5)制程的性能增强版本。被称为N7P和N5P的制程技术,专门为需要7纳米设计运算更快或消耗电量更少的客户所设计。

据悉,台积电全新N7P制程技术采用与N7相同设计规则,但优化前端(FEOL)和中端(MOL)架构,可在相同耗能下,将性能提升7%,或者在相同的性能频率下,降低10%的能耗。

台积电最早是于今年在日本举办的VLSI研讨会透露的有关全新N7P制程技术的相关信息,不过当时并没有进行广泛宣传。N7P目前采用经验证的深紫外(DUV)光刻技术,与N7制程技术相比,没有改变电晶体密度。针对需要电晶体密度高出约18%~20%的客户,台积电预计建议使用N7+或N6制程技术。N6制程技术采用极紫外(EUV)光刻技术进行晶圆多层处理。

除了N7P的新制程技术,台积电下一个显著提升电晶体密度、改进功耗和性能的主要制程节点,就是5纳米N5制程技术。台积电为此特提供定名为N5P的性能增强版本,采用FEOL和MOL优化功能,以便在相同功率下使芯片运行速度提高7%,或在相同频率下将功耗降低15%。

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