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台积电披露5nm3nm工艺性能提升信息 4nm工艺2022年大规模投产

8月26日消息,据国外媒体报道,台积电2020年度全球技术论坛和开放创新平台生态系统论坛24日开始在线举行,台积电在论坛上披露了多项芯片制程工艺方面的信息,5nm、4nm和3nm工艺均有提及。
发布时间:2020-08-26 13:11        来源:TechWeb        作者:辣椒客

8月26日消息,据国外媒体报道,台积电2020年度全球技术论坛和开放创新平台生态系统论坛24日开始在线举行,台积电在论坛上披露了多项芯片制程工艺方面的信息,5nm、4nm和3nm工艺均有提及。

台积电在官网披露的全球技术论坛重点信息显示,业界领先的5nm工艺在今年已大规模投产,随着产能持续提升,芯片缺陷密度的降低速度也要快于上一代工艺。

官网的信息显示,台积电的5nm工艺,可使芯片的性能提升15%,能耗降低30%,晶体管的密度提升80%。台积电也在加速推进第二代5nm工艺在2021年量产,同第一代的5nm工艺相比,第二代5nm工艺可使芯片的速度提升5%,能效提升10%。

台积电在官网披露,他们还将推出4nm工艺,芯片的性能、能效和晶体管密度会有进一步的提升,满足更多产品的需求。4nm工艺将在2021年四季度开始风险试产,2022年大规模量产。

5nm之后下一个完整的工艺节点是3nm,台积电也在研发。同第一代的5nm工艺相比,3nm工艺将使芯片的性能提升15%,能耗降低30%,晶体管的密度提升70%。

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