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中国3G技术突破 自主知识产权射频芯片诞生

发布时间:2006.10.23 15:39     来源:解放日报    作者:徐瑞哲

明年3G牌照发放前,完全拥有“中国芯”的新一代手机可望诞生。记者昨天从上海锐迪科微电子(RDA)公司获悉,其在国内独立开发并拥有自主知识产权的第三代移动通信TD-SCDMA终端射频芯片研制成功,目前应用该款芯片的手机制造和调试进展顺利。

TD-SCDMA是由我国自主研制的3G国际标准,其两大核心技术便是射频芯片与基带芯片。目前,展讯、大唐等国内公司已成功推出基带芯片样片,但在射频芯片方面除个别国外厂商外,尚无国内企业可提供商业化样片,成为国产3G手机产业链亟待突破的一个瓶颈。

据悉,新研制的射频芯片已在上海中芯国际和展讯公司分别完成工程样片流片和基带厂商测试。它采用世界上最先进的数字和模拟混合信号CMOS半导体技术,也是全球首颗基于CMOS的TD-SCDMA射频单芯,填补了国内空白,可替代国外产品。其射频收发器方案可在2010-2025MHz频段和1880-1920MHz频段之间自由切换,形成TD和GSM的双模形式。(n101)


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