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英特尔中国建厂计划获美政府批准 2010年投产

发布时间:2007.03.26 08:13     来源:赛迪网    作者:友亚

【赛迪网讯】3月26日消息,据国外媒体报道,来自知情人士的消息称,英特尔在中国投资建厂的计划已经获得了美国政府的批准。据预计,该工厂有望于2010年投产。

据美国《电子工程时报》报道,英特尔CEO欧德宁( Paul Otellini)今日(周一)将在人民大会堂举行记者招待会。届时,预计欧德宁将正式宣布该消息。

本月14日有报道称,中国国家发改委已批准英特尔在大连建芯片工厂的计划,英特尔将投资25亿美元在大连建立一座12英寸硅晶圆工厂,基于300毫米、90纳米制造工艺。

目前,英特尔在中国已设有封装和测试工厂。但此次计划成立的是一座制造工厂,投资额相对较大。目前,英特尔只在美国、爱尔兰和以色列设有这样的工厂。

300毫米芯片是当今芯片市场最先进的技术,此前曾有分析师认为,英特尔的建厂计划可能受到美国政府的阻挠。如果英特尔今日正式宣布该消息,那么很可能是获得了美商务部的一次性授权,允许英特尔将制造技术,连同制造设备一起运往中国。

今年1月12日,《印度时报》率先传出消息,称英特尔将在中国成立一家大型制造工厂,从事多内核处理器生产工作。这将是英特尔在亚洲地区的首家大型制造工厂。

英特尔于1985年进入中国市场,目前在中国的雇员数量为6000多人,分布在中国的16座城市,从事组装、测试、研发和销售等工作。投资额已超过10亿美元。

由于中国市场的重要地位,英特尔去年年底还宣布,从2007年起将中国设立为独立的营销区域。(n102)

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