历经两年的秘密谈判和策划、突破重重障碍之后，英特尔在全球的第九座300毫米芯片厂终于在中国大连尘埃落定。
3月26日，英特尔公司总裁保罗欧德宁在中国宣布，将投资25亿美元建设一个300毫米的芯片工厂，预计2010年开工。
新工厂选址大连，采用90纳米技术生产电脑芯片组。这是英特尔15年以来首次新建芯片生产厂，也是第一次落户亚洲。欧德宁在接受《财经》记者专访时说，如果美国政府允许，希望在2010年该厂建成时，同时生产技术更先进的芯片。
这是一笔总额预计达到60亿美元的大投资。国务院“振兴东北办”网站上刊登的消息显示，“美国英特尔公司在大连出口加工区内投资兴建的半导体芯片项目，一期投资25亿美元，建设一个12英寸芯片制造线，计划2009年初投产，年销售收入约200亿元人民币。二期拟投资35亿美元左右，再建设一个12英寸芯片生产线、四个封装测试厂、一个研发中心和一个销售公司，拟在2009年中期开始建设。两期项目全部建成后，预计年销售收入约为500亿元人民币，产品70%出口。”
英特尔将大连厂命名为“Fab 68”。Fab是芯片制造厂(wafer fabrication facility)的简称。至于选用“68”这个数字的原因，英特尔方面称，因为“6和8在中国都象征吉利”。
执照难求
美国政府对高技术产品的出口管制，是英特尔需要突破的第一道关隘。
2004年，时任英特尔首席执行官的贝瑞特曾公开批评美国的出口管制政策：“如果我想在中国修建90纳米制程、300毫米的晶圆厂，美国政府肯定会说‘绝对不行’。”
三年之后的今天，英特尔终于拿到了美国政府(90纳米制程)的出口许可证；不过，原因并非是布什政府的出口管制政策有所放松，而是技术的发展减弱了90纳米制程的领先性。英特尔已经在主流芯片中使用65纳米制程产品，预计今年下半年升级为45纳米。当2010年大连厂落成之时，90纳米将落后主流产品整整两代。这也正是该项目并未在美国国会掀起轩然大波的原因。
一向在对华技术输出问题上持强硬态度的美中经济和安全审查委员会委员拉瑞沃策尔(Larry Wortzel)对《财经》记者说：“这是公司自己的决定。就他们计划中涉及的技术来看，我不认为英特尔开设的工厂有什么问题。”
但采用相对落后的技术，能否给英特尔的中国工厂创造足够的商业价值？英特尔总裁欧德宁的回答是——“这个行业从来不需要用最尖端、最前沿的技术去生产芯片组。”他称，“出于成本上的考虑，生产芯片组所用的制程技术，往往会落后于最前沿的技术一到两代。”
实际上，英特尔真正期待的，是美国政府两年后能放松出口限制。美国政府会不会授予65纳米甚至45纳米制程的生产许可，会不会允许这家制造厂从生产芯片组升级到生产CPU，这两大疑问之中包含了太多中美政治、经济关系的不确定因素。
“大连芯片厂将采用美国政府目前出口许可范围之内的最先进技术。如果届时美国许可的技术进一步提升的话，我们也会进行相应的提升。”欧德宁说。
从上世纪90年代起，英特尔在中国已经建设了四家芯片封装和测试厂，但这与投建芯片组生产厂显然不可同日而语。芯片组(chipset)负责将电脑的核心——微处理器和机器的其他部分相连接，是决定主板级别的重要部件。
按照惯例，英特尔一般是将生产微处理器的芯片转移到新生产线后，用旧生产线生产芯片组，而不是新建专门生产芯片组的工厂；且改建或者新建都会直接采用最先进科技，例如以色列工厂便是直接升级到45纳米。中国显然是一个特例。
“英特尔原来建芯片厂都选在重要的战略伙伴国家，更关键是美国政府不会出面阻挠，” IT研究与顾问咨询公司Gartner分析师马丁雷诺(Martin Reynolds)对《财经》记者说，“中国已经越来越符合第一个条件，但第二个仍有问题。”
美国政府参照的，是1995年由28个国家共同制定的“瓦森纳协议”(Wassenaar Arrangement)。这个协议中，对敏感军用和军民两用技术出口到发展中国家进行严格管制，其中对半导体的限制是0.25微米。但这是一个早已过时的管制。2004年，中芯国际已达到了0.18微米的量产。现在，美国也将上限调整到0.18微米。
“我对瓦森纳协议的理解是，这是一个方向性的协议，实际上不是针对某个具体的技术型号的。在当时最领先的科技肯定要受到严格审查，而不那么前沿的科技，出口许可证则要视产品的最终用户和用途而定。”市场研究公司IC insights的主席比尔迈克里恩(Bill McClean)对《财经》记者说。
事实上，英特尔此次带来的技术对于中国市场已不新鲜。中芯国际在2004年就建成了300毫米芯片生产线，并打算在今年内投产65纳米产品。目前国内投产和建设的300毫米芯片厂，已有北京、武汉、上海、无锡等五家。在这种情况下，实际上，美国禁止英特尔到中国设厂已毫无意义。
1
2
3
下一页>>
