三星开始投产16Gb NAND闪存 采用51纳米工艺

【赛迪网讯】4月29日消息，韩国三星电子周日宣布，它已率先开始批量生产16Gb NAND闪存的公司。三星称它将采用目前内存规模生产中至今最先进的51纳米制造工艺。

据韩国联合通讯社报道，三星51纳米NAND闪存的生产效率将较当前的60纳米制造工艺提高60％。三星在去年8月才宣布开始投产60纳米8Gb NAND闪存，达到新的里程碑三星仅用了8个月时间。