【赛迪网讯】2月3日消息，据外电报道，英特尔和美光科技日前发布一种新的闪存架构。这种闪存架构通过消除传统NAND闪存的瓶颈，提高数据传输速度。
英特尔和美光科技的合资企业IM Flash开发出一种8GB单层式储存格NAND闪存芯片，读数据的速度可达每秒200MB，写数据的数度可达每秒100MB。这就意味着固态硬盘和视频卡的速度传输将更快。
美光科技发言人Kirstin Bordner称，随着数字视频录像机的和视频点播服务的日益流行，高速NAND闪存传输高清晰度电影的速度要比传统的NAND闪存速度快五倍。美光科技和其它厂商目前生产的NAND闪存的读数据的速度为每秒40MB，写数据的速度为每秒20MB。
Bordner称，NAND闪存芯片架构的改变和改善了读写电路是提高NAND芯片速度的主要原因。这种芯片的架构达到了ONFI（开放NAND闪存接口）2.0技术规范定义的速度。美光科技是2006年创建的ONFI工作组的创始人公司之一。其它成员公司还包括海力士半导体、英特尔、Phison电子、索尼和意法半导体。
美光科技目前正在生产这种高速NAND闪存的样品，预计在2008年下半年开始大批量生产。
美光科技和英特尔联合生产的这种高速NAND闪存芯片将与全球顶级的闪存芯片厂商三星电子和东芝展开竞争。三星电子和东芝这两家公司目前占全球NAND闪存芯片市场60%的份额。这两家公司去年签署一项协议将采用同样的技术规范开发速度更快和功能更强大的NAND闪存芯片。
(责任编辑：花草)
