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慕尼黑上海电子展:功率及相关器件成亮点 (2)

发布时间:2008.04.01 11:21     来源:赛迪网-中国电子报    作者:冯晓伟

同样是在本届展会上,三菱电机也向公众推出了第四代DIP-IPM(双列直插型智能功率模块)、第五代智能功率模块L1系列IPM以及多种系列的第五代IGBT模块。三菱电机在白色家电和工业用电机的变频驱动技术方面居世界领先地位,该公司常务执行董事、半导体事业本部总经理长山安治向记者表示,三菱电机将致力于引入领先的技术及适合不同领域的优秀解决方案,帮助中国的整机厂家增强竞争力。

无线通信器件追求低功耗小尺寸

半导体器件在无线通信领域的应用是本届“慕尼黑上海电子展”的另一亮点。展会进行期间,安华高科技大中国区总经理游本庆在接受《中国电子报》记者专访时表示,滤波器、PA(功率放大器)、LNA(低噪声放大器)等是安华高在手机领域的主要产品,而以上器件所组成的射频前端模块(FEM)则为手机功耗的降低和尺寸的减小作出了重要贡献。

在摩尔定律的指引之下,半导体厂商多年来一直在努力把产品的各种功能不断地加以集成。在移动通信终端中,许多元器件要么已经集成到射频芯片中,要么因直接数字上/下变频器的出现而消失。目前只有滤波器和功率放大器等器件没有被集成。

在传统上,滤波器一直采用陶瓷或声表面波(SAW)技术,而安华高的FBAR(薄膜腔声谐振)滤波器则在性能和尺寸方面都有较大的改善。“截至目前,安华高的FBAR滤波器出货量已经突破5亿只,全球10家CDMA(码分多址)手机厂商中有9家是安华高的客户,6家UMTS(通用移动通信)手机厂商中有5家是安华高的客户。”游本庆总经理以数据向记者展示了安华高在FBAR领域的优势地位。而安华高基于E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)技术的PA和LNA与异质结双极晶体管(HBT)技术相比也保持了较大的优势。

游本庆总经理还特别介绍了基于安华高专利技术——CoolPAM-V的主动旁路功放器件。该器件可以根据移动终端所处地点信号的强弱自动调节功放的增益,这样就起到降低功耗的作用。据统计,采用CoolPAM-V技术的手机可延长通话时间约30分钟。

(责任编辑:孙莉)

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