海力士3000万块1Gb DDR2芯片存在缺陷

海力士半导体公司66纳米工艺产品成品率问题导致3000万块1Gb DDR2芯片存在缺陷，相当于其产量的10%。但海力士否认存在这一问题，且拒绝发表进一步的评论。海力士从去年第四季度开始采用66纳米工艺生产内存芯片，但成品率低于预期。消息人士表示，由于3000万块1Gb DDR2芯片被发现存在故障，海力士的产量损失了10%。