【赛迪网讯】
Ｍａｒｋ Ｔ． Ｂｏｈｒ（马博）：英特尔高级院士，技术与制造事业部工艺架构与集成部门总监。１９７８ 年加盟英特尔，曾负责开发：英特尔首次推出的 ＣＭＯＳ 技术、全球首项 ＣＭＯＳ ＤＲＡＭ 技术、英特尔首项 ＢｉＣＭＯＳ 技术，以及新近推出的采用应变硅晶体管以及铜和低 Ｋ互连技术的９０ｎｍ和６５ｎｍ技术；目前领导开发英特尔４５ｎｍ技术。
马博在伊利诺伊大学香槟分校获得工业工程学士和电气工程硕士学位。他于２００３年获得 ＩＥＥＥ 安德鲁·格鲁夫奖，２００５ 年当选美国国家工程学院院士。马博在集成电路工艺领域拥有 ３１ 项专利。
1997年，美国计算学会（ACM）为纪念成立50周年，邀请了图灵奖获得者等20位计算权威预测未来50年的计算，并集结成《超越计算：未来50年的电脑》一书，因为对未来的展望是对历史最好的纪念。
今年是集成电路发明50周年。4月3日，英特尔半导体工艺领域首位高级院士马博在上海举办的英特尔信息技术峰会上接受了本报记者的独家专访。我们希望通过对半导体工业未来面临的挑战和机遇的探讨，来纪念过去50年来集成电路对电子工业乃至整个人类社会做出的贡献。
摩尔定律迈过一坎儿
记者：半导体公司都在积极地探索ＨｋＭＧ（高ｋ材料和金属栅极材料），英特尔找到合适的ＨｋＨＧ的过程，是像牛顿从苹果落地而发现万有引力定律那样灵机一动，还是像爱迪生寻找合适的灯丝材料那样经过无数次试验？
马博：和爱迪生的经历更为相似。我们多年来系统地测试了各种各样的材料，并且将试验工作和理论工作相结合，以确定最佳的HkMG。
记者：经过了多少次试验，数千次？
马博：我不知道是否能给出确切数字。或许不到一千种，但可以确定地说，至少研究了上百种不同的材料或材料组合。
记者：英特尔２００７年在４５ｎｍ工艺上引入ＨｋＭＧ，是ＣＭＯＳ工艺４０年来最重要的革命。的确，无论是重启了晶体管体积缩小的进程，还是为未来数代加工工艺的实现扫清了障碍，ＨｋＭＧ都有重要的意义。你如何看ＨｋＭＧ对半导体工业的价值？
马博：我认为HkMG晶体管的发明对半导体工业具有巨大价值。若没有此项发明，按照摩尔定律，行业发展即使不会陷于停滞，发展速度也会大大降低。现在我们正处在一个开发新材料、新结构至关重要的时期，如同缩小物理尺寸一样重要。
记者：ＨｋＭＧ缩小的是晶体管栅极绝缘层的厚度，而非投影面积。请问ＨｋＭＧ对芯片集成度是否有直接的贡献？
马博：水平尺度主要是受光刻技术能力的制约。但是，HkMG技术的确能提供更好的性能和显著降低漏电流，这对于将更多的晶体管集成到芯片上是至关重要的。可以说是间接提高了集成度。
记者：随着线宽的缩小，工艺的生命周期也在不断变短，请问ＨｋＭＧ最终能够有效支持的线宽是多少？
马博：我们认为尺寸还可以缩小到35nm、25nm。至于进一步超过这一水平，我想还需要新的发明。但HkMG至少有助于缩小45nm之后至少两代的尺寸。
记者：之后呢？
马博：我们的研究部门在继续探索45nm之后可能出现的各种晶体管，例如薄膜晶体管，或者采用多种半导体相结合的晶体管。我们还没有做出决定和对外宣布将采用何种新型晶体管。
光刻技术的变迁
记者：光刻技术应该是左右制造工艺升级换代的主要因素，据报道１９３ｎｍ浸没式光刻技术能够保证４５ｎｍ和３２ｎｍ制造技术的实现。请问其继任者１５７ｎｍ光刻技术能支持哪几代工艺？
1
2
3
4
5
下一页>>
